скачать прайс-лист

Каталог товаров




Новости технологий

16.11.2018

Представлена видеокарта Radeon RX 590. Первые тесты оказались противоречивы


Подробнее
14.11.2018

Смартфон Xiaomi Mi 8 Pro прибыл в Россию


Подробнее
12.11.2018

Флагманский камерофон Huawei P30 Pro показан на новых изображениях


Подробнее
09.11.2018

В YouTube все больше ложной информации, однако люди используют сервис, чтобы узнать новости и научится чему-то новому


Подробнее

Новости компании

19.04.2016


Распродажа ноутбуков и планшетов HP. Срок акции с 19 по 29 апреля. Спешите!

Подробнее
03.12.2015

Первая модель ноутбука из серии HP ProBook 450 G3 DSC уже на складе! Подробнее
01.12.2015

Предновогодняя распродажа ноутбуков УЖЕ СЕГОДНЯ! Подробнее
23.04.2014

График работы нашей компании на майские праздники.
Подробнее
купить Принтер Epson Stylus Photo R2000

Новости

06.11.2018 SK Hynix выпускает «первую в мире флэш-память 4D NAND»
В 96-слойной микросхеме TLC плотностью 512 Гбит используется технология памяти с ловушкой заряда Компания SK Hynix выпустила, по ее данным, первую в мире флэш-память 4D NAND. Под этим определением производитель подразумевает 96-слойную память TLC NAND, в которой используются технологии памяти с ловушкой заряда (CTF) и PUC (Peri. Under Cell). Плотность кристалла — 512 Гбит. Название 4D NAND отражает использование в дополнение к вертикальной интеграции ячеек памяти, то есть их многослойной компоновке, размещение в подлежащем слое периферийных цепей. Отметим, что SK Hynix — не первый производитель, использовавший такую компоновку, как и не первый производитель, использующий технологию CTF, а не плавающего затвора. Достижение заключается в объединении CTF и PUC в одном изделии. Вкупе с увеличением слоев ячеек это позволило уменьшить размеры кристалла более чем на 30%, а число чипов на пластине — на 49% по сравнению с 72-слойными кристаллами 3D NAND такой же плотности. Кроме того, скорость записи удалось повысить на 30%, чтения — на 25%, а пропускную способность линий ввода-вывода довести до 1200 Мбит/с (в расчете на линию) при напряжении питания 1,2 В. Серийный выпуск новой памяти начнется до конца года. В этот же срок SK Hynix рассчитывает представить SSD объемом 1ТБ, в котором будут использоваться контроллер и встроенное ПО собственной разработки.

Возврат к списку