скачать прайс-лист

Каталог товаров




Новости технологий

01.08.2019

Грядущий iPhone получит поддержку Apple Pencil


Подробнее
25.07.2019

В базе UserBenchmark засветился 10-ядерный процессор Intel Cascade Lake-X


Подробнее
22.07.2019

Новый король среди игровых смартфонов. Представлен Asus ROG Phone 2


Подробнее
17.07.2019

Bitcoin снова стоит меньше 10 000 долларов


Подробнее

Новости компании

02.04.2019

Распродажа. Блок питания INWIN Power Rebel RB-S450T7-0 450W. Подробнее
02.04.2019

Распродажа складских остатков принтеров HP P2035. Подробнее
19.04.2016


Распродажа ноутбуков и планшетов HP. Срок акции с 19 по 29 апреля. Спешите!

Подробнее
03.12.2015

Первая модель ноутбука из серии HP ProBook 450 G3 DSC уже на складе! Подробнее
купить Принтер Epson Stylus Photo R2000

Новости

06.11.2018 SK Hynix выпускает «первую в мире флэш-память 4D NAND»
В 96-слойной микросхеме TLC плотностью 512 Гбит используется технология памяти с ловушкой заряда Компания SK Hynix выпустила, по ее данным, первую в мире флэш-память 4D NAND. Под этим определением производитель подразумевает 96-слойную память TLC NAND, в которой используются технологии памяти с ловушкой заряда (CTF) и PUC (Peri. Under Cell). Плотность кристалла — 512 Гбит. Название 4D NAND отражает использование в дополнение к вертикальной интеграции ячеек памяти, то есть их многослойной компоновке, размещение в подлежащем слое периферийных цепей. Отметим, что SK Hynix — не первый производитель, использовавший такую компоновку, как и не первый производитель, использующий технологию CTF, а не плавающего затвора. Достижение заключается в объединении CTF и PUC в одном изделии. Вкупе с увеличением слоев ячеек это позволило уменьшить размеры кристалла более чем на 30%, а число чипов на пластине — на 49% по сравнению с 72-слойными кристаллами 3D NAND такой же плотности. Кроме того, скорость записи удалось повысить на 30%, чтения — на 25%, а пропускную способность линий ввода-вывода довести до 1200 Мбит/с (в расчете на линию) при напряжении питания 1,2 В. Серийный выпуск новой памяти начнется до конца года. В этот же срок SK Hynix рассчитывает представить SSD объемом 1ТБ, в котором будут использоваться контроллер и встроенное ПО собственной разработки.

Возврат к списку