скачать прайс-лист

Каталог товаров




Новости технологий

10.12.2018

Link Turbo — новая технология Huawei, которая ускорит работу в сетях Wi-Fi и 4G


Подробнее
07.12.2018

Inno3D представила видеокарты GeForce RTX iChill Frostbite с жидкостными системами охлаждения


Подробнее
06.12.2018

Полноценный анонс SoC Snapdragon 855. Платформа на самом деле не содержит ни модема 5G, ни блока NPU


Подробнее
05.12.2018

SoC Snapdragon 855 опережает по производительности Exynos 9820 и Kirin 980


Подробнее

Новости компании

19.04.2016


Распродажа ноутбуков и планшетов HP. Срок акции с 19 по 29 апреля. Спешите!

Подробнее
03.12.2015

Первая модель ноутбука из серии HP ProBook 450 G3 DSC уже на складе! Подробнее
01.12.2015

Предновогодняя распродажа ноутбуков УЖЕ СЕГОДНЯ! Подробнее
23.04.2014

График работы нашей компании на майские праздники.
Подробнее
купить Принтер Epson Stylus Photo R2000

Новости

14.12.2009 Новости IT-рынка Линия Dell OptiPlex пополнилась новыми мини-ПК.

Накануне открытия мероприятия IEDM 2009, посвященного технологиям полупроводникового производства, компания IBM рассказала о своем видении перспектив освоения более тонких норм техпроцесса.

Согласно мнению, высказанному представителями компании, применение кремния не ограничивается достигнутыми сейчас технологическими нормами. В IBM полагают, что применение этого материала будет актуально при переходе к нормам 15 нм, 11 нм и менее. Правда, на рубеже 11 нм совершенно необходимо отказаться от планарной архитектуры полупроводниковых приборов и перейти к новым транзисторным технологиям. Речь идет о применении FinFET, «сверхтонкого» кремния на изоляторе (ETSOI) и нанопроводников. Другими словами, в своих исследованиях IBM придерживается ранее обозначенных направлений.

Примечательно, что при переходе к поколениям, соответствующим нормам 15 и 11, повышение производительности микросхем будет не так велико, как в случае поколений 32 и 22 нм. Основной выигрыш будет лежать в области снижения удельного энергопотребления и повышения степени интеграции.

Что касается повышения степени интеграции, по прогнозам IBM, в 2012 году, после освоения норм 22 нм, на 1 кв.см поверхности кристалла будет размещаться 1,6 млрд. транзисторов. Для сравнения — 45-нанометровые нормы в 2008 году обеспечили плотность 0,4 млрд. транзисторов на 1 кв. см, а в 2010 году на 1 кв.см поверхности кристалла будет размещаться 0,8 млрд. транзисторов. Дальнейшее уменьшение размеров структур приведет к увеличению плотности до 3,2 млрд. транзисторов на 1 кв.см (нормы 15 нм, 2014-15 годы) и 6,4 млрд. транзисторов на 1 кв.см (11 нм, 2017-2018 гг).

Источник: iXBT.com

Возврат к списку