скачать прайс-лист

Каталог товаров




Новости технологий

17.06.2019

Xiaomi закрывает программу бета-тестирования MIUI для всех устройств


Подробнее
14.06.2019

Возможно, это Galaxy S12. Патент Samsung демонстрирует смартфон с изогнутым 3D-экраном


Подробнее
07.06.2019

Новая прошивка MIUI 10 для Redmi K20 Pro устраняет проблемы с непослушной выдвижной камерой и разрядкой аккумулятора


Подробнее
30.05.2019

Сравнение дня: GPU Intel Gen11 в процессорах Ice Lake с разным TDP


Подробнее

Новости компании

02.04.2019

Распродажа. Блок питания INWIN Power Rebel RB-S450T7-0 450W. Подробнее
02.04.2019

Распродажа складских остатков принтеров HP P2035. Подробнее
19.04.2016


Распродажа ноутбуков и планшетов HP. Срок акции с 19 по 29 апреля. Спешите!

Подробнее
03.12.2015

Первая модель ноутбука из серии HP ProBook 450 G3 DSC уже на складе! Подробнее
купить Принтер Epson Stylus Photo R2000

Новости

14.12.2009 Новости IT-рынка Линия Dell OptiPlex пополнилась новыми мини-ПК.

Накануне открытия мероприятия IEDM 2009, посвященного технологиям полупроводникового производства, компания IBM рассказала о своем видении перспектив освоения более тонких норм техпроцесса.

Согласно мнению, высказанному представителями компании, применение кремния не ограничивается достигнутыми сейчас технологическими нормами. В IBM полагают, что применение этого материала будет актуально при переходе к нормам 15 нм, 11 нм и менее. Правда, на рубеже 11 нм совершенно необходимо отказаться от планарной архитектуры полупроводниковых приборов и перейти к новым транзисторным технологиям. Речь идет о применении FinFET, «сверхтонкого» кремния на изоляторе (ETSOI) и нанопроводников. Другими словами, в своих исследованиях IBM придерживается ранее обозначенных направлений.

Примечательно, что при переходе к поколениям, соответствующим нормам 15 и 11, повышение производительности микросхем будет не так велико, как в случае поколений 32 и 22 нм. Основной выигрыш будет лежать в области снижения удельного энергопотребления и повышения степени интеграции.

Что касается повышения степени интеграции, по прогнозам IBM, в 2012 году, после освоения норм 22 нм, на 1 кв.см поверхности кристалла будет размещаться 1,6 млрд. транзисторов. Для сравнения — 45-нанометровые нормы в 2008 году обеспечили плотность 0,4 млрд. транзисторов на 1 кв. см, а в 2010 году на 1 кв.см поверхности кристалла будет размещаться 0,8 млрд. транзисторов. Дальнейшее уменьшение размеров структур приведет к увеличению плотности до 3,2 млрд. транзисторов на 1 кв.см (нормы 15 нм, 2014-15 годы) и 6,4 млрд. транзисторов на 1 кв.см (11 нм, 2017-2018 гг).

Источник: iXBT.com

Возврат к списку