скачать прайс-лист

Каталог товаров




Новости технологий

19.02.2019

Nissan предлагает использовать старые автомобильные аккумуляторы для создания источника питания для кемперов


Подробнее
15.02.2019

MSI не поскупится на охлаждение для видеокарт GeForce GTX 1660 Ti


Подробнее
14.02.2019

Samsung делает смартфон с двумя негнущимися экранами, который при этом складывается вдвое


Подробнее
08.02.2019

Новая надежда майнеров: первые тесты показывают, что Radeon VII выдаёт 90 MH/s при добыче Ethereum


Подробнее

Новости компании

19.04.2016


Распродажа ноутбуков и планшетов HP. Срок акции с 19 по 29 апреля. Спешите!

Подробнее
03.12.2015

Первая модель ноутбука из серии HP ProBook 450 G3 DSC уже на складе! Подробнее
01.12.2015

Предновогодняя распродажа ноутбуков УЖЕ СЕГОДНЯ! Подробнее
23.04.2014

График работы нашей компании на майские праздники.
Подробнее
купить Принтер Epson Stylus Photo R2000

Новости

14.12.2009 Новости IT-рынка Линия Dell OptiPlex пополнилась новыми мини-ПК.

Накануне открытия мероприятия IEDM 2009, посвященного технологиям полупроводникового производства, компания IBM рассказала о своем видении перспектив освоения более тонких норм техпроцесса.

Согласно мнению, высказанному представителями компании, применение кремния не ограничивается достигнутыми сейчас технологическими нормами. В IBM полагают, что применение этого материала будет актуально при переходе к нормам 15 нм, 11 нм и менее. Правда, на рубеже 11 нм совершенно необходимо отказаться от планарной архитектуры полупроводниковых приборов и перейти к новым транзисторным технологиям. Речь идет о применении FinFET, «сверхтонкого» кремния на изоляторе (ETSOI) и нанопроводников. Другими словами, в своих исследованиях IBM придерживается ранее обозначенных направлений.

Примечательно, что при переходе к поколениям, соответствующим нормам 15 и 11, повышение производительности микросхем будет не так велико, как в случае поколений 32 и 22 нм. Основной выигрыш будет лежать в области снижения удельного энергопотребления и повышения степени интеграции.

Что касается повышения степени интеграции, по прогнозам IBM, в 2012 году, после освоения норм 22 нм, на 1 кв.см поверхности кристалла будет размещаться 1,6 млрд. транзисторов. Для сравнения — 45-нанометровые нормы в 2008 году обеспечили плотность 0,4 млрд. транзисторов на 1 кв. см, а в 2010 году на 1 кв.см поверхности кристалла будет размещаться 0,8 млрд. транзисторов. Дальнейшее уменьшение размеров структур приведет к увеличению плотности до 3,2 млрд. транзисторов на 1 кв.см (нормы 15 нм, 2014-15 годы) и 6,4 млрд. транзисторов на 1 кв.см (11 нм, 2017-2018 гг).

Источник: iXBT.com

Возврат к списку