скачать прайс-лист

Каталог товаров




Новости технологий

13.11.2019

Огромный успех Xiaomi Mi Band 4 привел к взрывному росту показателей Huami


Подробнее
11.10.2019

Из гадкого утенка в красивый фастбэк. Представлен водородомобиль Toyota Mirai второго поколения


Подробнее
30.09.2019

В ожидании Huawei Mate 30 Pro. Первый смартфон с экраном-водопадом и камерой на 64 Мп представят для России на «ИгроМире 2019»


Подробнее
26.09.2019

Стоимость компонентов Xiaomi Mix Alpha — $700, но даже при розничной цене $2800 он все равно будет убыточным


Подробнее

Новости компании

02.04.2019

Распродажа. Блок питания INWIN Power Rebel RB-S450T7-0 450W. Подробнее
02.04.2019

Распродажа складских остатков принтеров HP P2035. Подробнее
19.04.2016


Распродажа ноутбуков и планшетов HP. Срок акции с 19 по 29 апреля. Спешите!

Подробнее
03.12.2015

Первая модель ноутбука из серии HP ProBook 450 G3 DSC уже на складе! Подробнее
купить Принтер Epson Stylus Photo R2000

Новости

14.12.2009 Новости IT-рынка Линия Dell OptiPlex пополнилась новыми мини-ПК.

Накануне открытия мероприятия IEDM 2009, посвященного технологиям полупроводникового производства, компания IBM рассказала о своем видении перспектив освоения более тонких норм техпроцесса.

Согласно мнению, высказанному представителями компании, применение кремния не ограничивается достигнутыми сейчас технологическими нормами. В IBM полагают, что применение этого материала будет актуально при переходе к нормам 15 нм, 11 нм и менее. Правда, на рубеже 11 нм совершенно необходимо отказаться от планарной архитектуры полупроводниковых приборов и перейти к новым транзисторным технологиям. Речь идет о применении FinFET, «сверхтонкого» кремния на изоляторе (ETSOI) и нанопроводников. Другими словами, в своих исследованиях IBM придерживается ранее обозначенных направлений.

Примечательно, что при переходе к поколениям, соответствующим нормам 15 и 11, повышение производительности микросхем будет не так велико, как в случае поколений 32 и 22 нм. Основной выигрыш будет лежать в области снижения удельного энергопотребления и повышения степени интеграции.

Что касается повышения степени интеграции, по прогнозам IBM, в 2012 году, после освоения норм 22 нм, на 1 кв.см поверхности кристалла будет размещаться 1,6 млрд. транзисторов. Для сравнения — 45-нанометровые нормы в 2008 году обеспечили плотность 0,4 млрд. транзисторов на 1 кв. см, а в 2010 году на 1 кв.см поверхности кристалла будет размещаться 0,8 млрд. транзисторов. Дальнейшее уменьшение размеров структур приведет к увеличению плотности до 3,2 млрд. транзисторов на 1 кв.см (нормы 15 нм, 2014-15 годы) и 6,4 млрд. транзисторов на 1 кв.см (11 нм, 2017-2018 гг).

Источник: iXBT.com

Возврат к списку